صفحه 48 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 15 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با پاتریوت P220 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پاتریوت P220 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE،FCC،RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر 100 × 133 × 178 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 50 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 40,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 50,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW) 60 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 480 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -

مقایسه وسترن دیجیتال Green WDS240G1G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Green WDS240G1G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار WD SSD Dashboard - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 × 69.9 × 100.5 ميلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 32 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 0.05 وات به صورت میانگین - 2 وات در حالت خواندن - 2.5 وات در حالت نوشتن - 3 میلی‌وات در حالت آماده باش - 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 37,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 68,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,750,000 ساعت (MTBF) - 80 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 465 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 0.5G لرزش - قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 × 69.9 × 100.2 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 40 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - حداکثر 1.195 وات هنگام استفاده - 415 میلی‌وات در حالت استندبای - 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 50 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 120 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD - مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) - نرم‌افزار HP Storage Data Migration Utilities
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر 6.7 × 69.8 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 50 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS 82,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 81,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTTF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 561 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 523 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -

مقایسه اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر - ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) - نرم‌افزار HP Storage Data Migration Utilities - پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 6.7 × 69.8 × 100 میلی‌متر 15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 50 گرم 60 گرم
میزان توان مصرفی - 1.38 وات در حالت فعال - 0.34 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 75,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTTF) - 295 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 384Gbit 32-Layer 3D TLC NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 515 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT Maxio Technology MAS0902A

مقایسه سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 11.04 × 24.2 × 80.16 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 47 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 8.6 میلی‌وات در حالت فعال - 30 میلی‌وات در حالت PS3 Idle - 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) - 5100 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7250 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis

مقایسه اچ پی S750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

اچ پی S750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED -
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 3G لرزش - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI, RoHS, VCCI - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد ضخامت 6.7 میلی‌متر 15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 50 گرم 60 گرم
میزان توان مصرفی حداکثر 2.2 وات هنگام استفاده و 40 میلی‌وات در حالت استندبای -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 74,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 96Layer 3D NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) HP H6578 Maxio Technology MAS0902A

مقایسه سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES-256 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.23 × 22.15 × 80.16 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7.7 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - - 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) PS5018-E18-41 Samsung Elpis

مقایسه وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0A NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0A NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard - نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 × 69.85 × 100.2 میلی‌متر 3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی آبی -
وزن محصول 34.6 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 1.8 وات در حالت خواندن - 2 وات در حالت نوشتن - 50 میلی‌وات به صورت میانگین - 36 میلی‌وات در حالت آماده باش - 12 میلی‌وات در حالت DevSlp - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 82,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,750,000 ساعت (MTBF) - 200 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با لکسار NS10 Lite SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار NS10 Lite SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC CE, FCC, VCCI, C-tick
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 6.1 × 22 × 80 میلی‌متر 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 11 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS -
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64-Layer 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه 256 گیگابایت 240 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 480 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3L -
کنترلر (Controller) SMI SM2262EN -

مقایسه ادلینک S22 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ادلینک S22 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 0.9 تا 3.6 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه کداک X250s SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کداک X250s SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - بهینه ساز مصرف انرژی -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 128 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با لکسار NS10 Lite SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لکسار NS10 Lite SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, C-tick
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 240 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 480 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -

مقایسه ای دیتا XPG SX6000 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX6000 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ - پشتیبانی از SLC Cache و HMB - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - نرم‌افزار SSD ToolBox - نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش - 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 190,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Realtek RTS5763DL Samsung Phoenix

مقایسه سیگیت BarraCuda 120 SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

سیگیت BarraCuda 120 SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED -
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر - لینوکس - ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی - نرم‌افزار SeaTools SSD - پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, KCC, FCC, RU, RoHS - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 7.1 × 70.1 × 100.35 میلی‌متر 15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 50 گرم 60 گرم
میزان توان مصرفی - 2.7 وات در حالت فعال - 120 میلی‌وات در حالت Idle - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) 600 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) - Maxio Technology MAS0902A