صفحه 3 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 15 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
محتویات جعبه	هیت‌سینک	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1,280 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا VS ایکس پی جی

ویژگی	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
محتویات جعبه	هیت‌سینک	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	11 گرم
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1,280 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3	DDR3L
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

ای دیتا VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
محتویات جعبه	هیت‌سینک	-
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	8 گرم	60 گرم
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1,280 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	960 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3	-
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
محتویات جعبه	هیت‌سینک	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1,280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	هیت‌سینک	کابل USB Type-C به USB Type-C کابل USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	13 * 59 * 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول	8 گرم	98 گرم
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1,280 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3	-
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
محتویات جعبه	هیت‌سینک	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مناسب گیمینگ قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1,280 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3	-
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بوفالو SSD-PUT USB 3.2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

بوفالو VS ایکس پی جی

ویژگی	بوفالو SSD-PUT USB 3.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	true	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.14 و بالاتر پلی‌استیشن 4، 4 پرو و 5 ایکس‌باکس وان ایکس‌باکس سری X/S	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر شوک و لرزش	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 * 25 * 70 میلی‌متر	6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	30 گرم	11 گرم
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	290,000IOPS
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	600 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام جی VS لکسار

ویژگی	تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد و دمای 0 تا 55 جه	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	115 گرم	9 گرم
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	256,000IOPS
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	470 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	-	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام جی VS سامسونگ

ویژگی	تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد و دمای 0 تا 55 جه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	115 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	470 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	-	مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	8 گرم
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber	5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	8 گرم
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	مناسب گیمینگ قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	8 گرم
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	9 گرم
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	8 گرم
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber	5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه