صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه - - کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 8 × 22 × 80 میلی‌متر 12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
وزن محصول 13.4 گرم 31 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS -
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 620 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 8 × 22 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 13.4 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 620 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر 8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 13.4 گرم
میزان توان مصرفی - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 370,000IOPS 290,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 240,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 620 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 13.4 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش - 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 620 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 13.4 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش - 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 620 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8 × 22 × 80 میلی‌متر 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 13.4 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 620 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - DM620

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 13.4 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش - 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 620 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix Controller