نوع کاربری حافظه | اکسترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | - | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | - | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2.5 اینچ | 2280 M.2 |
---|
شیوه اتصال | Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1 | - |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 960 گیگابایت | 500 گیگابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | 3D NAND | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
کنترلر (Controller) | Maxio Technology MAS0902A | Samsung Phoenix |
نرخ خواندن ترتیبی | 440 مگابایت بر ثانیه | 3400 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 430 مگابایت بر ثانیه | 2300 مگابایت بر ثانیه |
حافظه DRAM | ندارد | دارد |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | - | 370,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | - | 450,000IOPS |
نوع حافظه DRAM | - | 512 مگابایت LPDDR4 |
محدوده دمای عملیاتی | - | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | - | 3.3 ولت |
طول عمر متوسط | - | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) |
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | ندارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | ندارد | دارد |
سیستمعاملهای سازگار | - ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر | - |
قابلیتهای جانبی | - پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسولهای بازی Xbox One و PlayStation 4 | - |
فناوری رمزنگاری | - | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 |
مجوزها و تاییدیهها | - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS | - |
---|
مواد بدنه | پلاستیک | - |
---|
اندازه و ابعاد | 15.2 × 80 × 80 میلیمتر | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 60 گرم | 8 گرم |
نشانگر وضعیت LED | دارد | ندارد |
---|
میزان توان مصرفی | - | - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلیوات در حالت DevSlp |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟