نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | SATA | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | SATA 6Gb/s | PCIe Gen 4.0 x4 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2.5 اینچ | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 500 MB | 512 MB |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung MKX | - |
نرخ خواندن ترتیبی | 560 مگابایت بر ثانیه | 7300 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 530 مگابایت بر ثانیه | 4500 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 98,000IOPS | 590,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 88,000IOPS | 610,000IOPS |
حافظه DRAM | دارد | ندارد |
نوع حافظه DRAM | 512 MB LPDDR4 | - |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 5 ولت | 3.3 ولت |
طول عمر متوسط | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) | 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) |
میزان توان مصرفی | 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلیوات * حالت Idle ** 2.5 میلیوات * حالت DevSlp | - |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
سیستمعاملهای سازگار | - | ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا |
قابلیتهای جانبی | - | مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه |
مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, KCC, VCCI, RCM | RoHS |
---|
اندازه و ابعاد | 6.8 * 69.85 * 100 میلیمتر | 3.7 * 22 * 80 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 45 گرم | 7 گرم |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده