نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 250 MB | 256 MB |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND | Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung Elpis | Phison E12 |
نرخ خواندن ترتیبی | 6400 مگابایت بر ثانیه | 2700 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 2700 مگابایت بر ثانیه | 850 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 500,000IOPS | 200,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 600,000IOPS | 200,000IOPS |
حافظه DRAM | دارد | دارد |
نوع حافظه DRAM | 512 MB LPDDR4 | NANYA DDR3L |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | 3.3 ولت |
طول عمر متوسط | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) | 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW) |
میزان توان مصرفی | 5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلیوات * حالت آماده باش | - |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | AES 256-bit, TCG Pyrite |
سیستمعاملهای سازگار | - | ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر |
قابلیتهای جانبی | - | الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه |
اندازه و ابعاد | 2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر | 3.8 * 22 * 80 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 9 گرم | 6 گرم |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده