مقایسه
سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
با
اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
مقایسه
سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
با
اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
مقایسه ویژگی ها
| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیره‌سازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 256 گیگابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | - |
| کنترلر (Controller) | Samsung Phoenix | - |
| نرخ خواندن ترتیبی | 3500 مگابایت بر ثانیه | 2400 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 3300 مگابایت بر ثانیه | 1600 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی داده‌ها | 600,000IOPS | 230,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها | 550,000IOPS | 340,000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | ندارد |
| نوع حافظه DRAM | 1 گیگابایت LPDDR4 | - |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد | - |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | 3.3 ولت / 2.5 آمپر |
| طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW) | - |
| میزان توان مصرفی | - 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle | حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | ندارد |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
| اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر | 2.23 × 22 × 80 میلی‌متر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 8 گرم | 8 گرم |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
| مجوزها و تاییدیه‌ها | - | CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM |
|---|
شما چه امتیازی می دهید؟
