صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور VS سامسونگ

ویژگی	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8.1 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	1655 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS3 64L TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison E12	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور VS ای دیتا

ویژگی	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8.1 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	8 گرم	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	750,000IOPS
طول عمر متوسط	1655 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS3 64L TLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
کنترلر (Controller)	Phison E12	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

سیلیکون پاور VS ای دیتا

ویژگی	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	-	کابل USB-C به USB-C کابل USB-C به USB-A دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8.1 و بالاتر	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	31 گرم
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1655 (TBW) ترابایت	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS3 64L TLC	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	Phison E12	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

خودروسازی دی اس VS سیلیکون پاور

ویژگی	سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل USB نوع C به USB نوع C تبدیل USB نوع C به USB نوع A دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED	true	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، آبی، سبز	-
مواد بدنه	پلاستیک	-
وزن محصول	52 گرم	8 گرم
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1655 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS3 64L TLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1050 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
کنترلر (Controller)	-	Phison E12

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-C کابل USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	13 * 59 * 88 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، آبی، طوسی	-
وزن محصول	98 گرم	8 گرم
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1655 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS3 64L TLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1050 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
کنترلر (Controller)	-	Phison E12

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت$

مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

سیلیکون پاور VS ای دیتا

ویژگی	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8.1 و بالاتر	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC	استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	8 گرم	60 گرم
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1655 (TBW) ترابایت	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS3 64L TLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	960 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
کنترلر (Controller)	Phison E12	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

سیلیکون پاور VS سامسونگ

ویژگی	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8.1 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	-	2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	1655 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS3 64L TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	Phison E12	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه