صفحه 3 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

فناوری رمزنگاری Yes Yes
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۴۶.۲ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت ۳.۲ ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه SAS PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۲۰۵ گرم
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung TLC V-NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) S4LV003 -
نرخ خواندن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS ۴۷۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
طول عمر متوسط - ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۲۰۵ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ ۱۷۵۰۰
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۲۰۵ گرم

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۴۰ ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۲.۸ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۲ گرم ۲۰۵ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۷ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550Hبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۲ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۰۰۰۰ IOPS 270,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۷۵۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر) -
وزن محصول ۲۰۵ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۴۷۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۱۷۵۰۰
وزن محصول - ۲۰۵ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت ۳.۲ ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۶.۵ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۷۵۰۰
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550Hبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

میزان ظرفیت حافظه ۳.۲ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۷۵۰۰ ۲۵۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر) 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول ۲۰۵ گرم ۸ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۶۰ ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۲.۶ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
فناوری رمزنگاری - Yes