صفحه 4 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

لنوو VS سی‌گیت

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	۳D eTLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۴۷۵۰۰ IOPS	۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
نرخ خواندن ترتیبی	-	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
وزن محصول	-	۲۰۵ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	۳D eTLC
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	۴۷۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۷۵۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۸ گرم	۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۴۷۰۰۰۰ IOPS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	۳.۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰ IOPS	۴۷۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۵۸ گرم	۲۰۵ گرم
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D eTLC
طول عمر متوسط	-	۱۷۵۰۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

msi VS سی‌گیت

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D eTLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	650,000IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	۴۷۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۱۷۵۰۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	9.7 گرم	۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

msi VS سی‌گیت

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D eTLC
کنترلر (Controller)	PHISON E26	-
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	۴۷۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۱۷۵۰۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۲۰۵ گرم
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMeبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۳۸۰۰۰۰ IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۴۴۰۰۰۰ IOPS	۴۷۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.۲	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	۲۰۵ گرم
رنگ‌بندی	Black, Green	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طول عمر متوسط	-	۱۷۵۰۰
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

دِل VS سی‌گیت

ویژگی	اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	۳.۲ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۲۰۵ گرم
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

لنوو VS سی‌گیت

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	۳.۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۲ گرم	۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D eTLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۷۵۰۰
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۸ گرم	۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۴۷۰۰۰۰ IOPS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

فیلیپس VS سی‌گیت

ویژگی	اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	۳.۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۶۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۳۸.۲ گرم	۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D eTLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

برند نامشخص VS سی‌گیت

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	۱۷۵۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۵ گرم	۲۰۵ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۴۷۰۰۰۰ IOPS
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه