صفحه 2 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۷۵۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۴۶ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۹۰۰۰۰ IOPS ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۵۰ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۳۲۰ ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۲.۸ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350Sبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۱۵ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۹۵۰۰۰ IOPS ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۷۵۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۱۲ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۲۰۵ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۳.۲ ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۹ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۷۵۰۰
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۷۵۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۴۶ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

برند نامشخص VS سی‌گیت
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ ۱۷۵۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم ۲۰۵ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC ۳D eTLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۱۰۰۰ IOPS ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۷۰ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
نرخ خواندن ترتیبی - ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۴۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۳۵۰۴ ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۶۹ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No Yes
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

وزن محصول ۱۶۴ گرم ۲۰۵ گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه - ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه - PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
وزن محصول - ۲۰۵ گرم