VS
VS

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

مقایسه ویژگی‌ها

ویژگی‌های فنی
ویژگی‌های فنی
میزان ظرفیت حافظه ۳.۲ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۷۵۰۰ ۶۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
ویژگی‌های ظاهری
ویژگی‌های ظاهری
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر) ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول ۲۰۵ گرم -
نوع ذخیره‌سازی
نوع ذخیره‌سازی
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
توانمندی‌ها
توانمندی‌ها
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - دارد
قابلیت پشتیبانی از TRIM - دارد
قابلیت‌ها
قابلیت‌ها
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
سلب مسئولیت: اطلاعات این صفحه ممکن است نیاز به بازبینی داشته باشد. در صورت مشاهده هرگونه مغایرت، لطفاً گزارش دهید

مقایسه امتیاز کاربران

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
0 /10
از مجموع 1 رای
اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
0 /10
از مجموع 1 رای

پرسش و پاسخ درباره این مقایسه

پرسش شما پس از تایید نمایش داده خواهد شد

هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.

اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح می‌کند!

ثبت نظر و امتیاز برای این مقایسه

حداقل ۱۰ کاراکتر بنویسید
جستجوی محصول برای مقایسه