مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows, macOS, Android	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	17 × 40 × 95 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	102 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا

ویژگی	سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما	- کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows, macOS, Android	- ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	-
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	17 × 40 × 95 میلی‌متر	12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	102 گرم	31 گرم
حافظه DRAM
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows, macOS, Android	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	17 × 40 × 95 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	102 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا

ویژگی	سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows, macOS, Android	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	17 × 40 × 95 میلی‌متر	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	102 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	290,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا

ویژگی	سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows, macOS, Android	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP	- مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	17 × 40 × 95 میلی‌متر	8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	102 گرم	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا

ویژگی	سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows, macOS, Android	- ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP	- پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	- استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	17 × 40 × 95 میلی‌متر	15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	102 گرم	60 گرم
حافظه DRAM
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	-	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows, macOS, Android	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	17 × 40 × 95 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	102 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows, macOS, Android	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	17 × 40 × 95 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	102 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows, macOS, Android	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	17 × 40 × 95 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	102 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا

ویژگی	سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows, macOS, Android	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	17 × 40 × 95 میلی‌متر	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	102 گرم	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	510,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ایکس پی جی

ویژگی	سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows, macOS, Android	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	17 × 40 × 95 میلی‌متر	6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	102 گرم	11 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	290,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا

ویژگی	سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows, macOS, Android	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	17 × 40 × 95 میلی‌متر	- 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	102 گرم	- 7 گرم (بدون هیت‌سینک) - 10 گرم (با هیت‌سینک)
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه