مقایسه سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کورسیر VENGEANCE RGB ظرفیت 32 گیگابایت (2x16) از نوع DDR5-6400 CL32با سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333

ویژگی	کورسیر VENGEANCE RGB ظرفیت 32 گیگابایت (2x16) از نوع DDR5-6400 CL32	سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333
تکنولوژی حافظه	DDR5	DDR3
نوع حافظه	DDR5-6400	DDR3-1333
نوع ماژول (Form Factor)	UDIMM	SODIMM
نوع کاربری	دسکتاپ	لپ‌تاپ
ظرفیت	32 MB	4 MB
سرعت (فرکانس)	6400 مگاهرتز	1333 مگاهرتز
فرکانس در حالت SPD	4800 مگاهرتز	-
پهنای باند (Bandwidth)	51200 مگابایت بر ثانیه	10600 مگابایت بر ثانیه
تعداد پین‌ها	288	204
تاخیر CAS (CL)	CL32	CL9
زمانبندی (Latency)	32-40-40-84	-
تایمینگ (تاخیر) در حالت SPD	40-40-40-77	-
مقدار ولتاژ	1.40 ولت	1.50 ولت
مقدار ولتاژ در SPD	1.10 ولت	-
سیستم بافر (Buffered)	false	false
تکنولوژی ECC (اصلاح خطا)	false	false
پشتیبانی از پروفایل XMP	true	false
قابلیت‌های جانبی	XMP نسخه 3.0 قابلیت اورکلاک سازگار با Intel ** نرم‌افزار CORSAIR iCUE برای تنظیم نورپردازی	-
هیت سینک (Heat Sink)	true	false
قابلیت نورپردازی RGB	true	false
سایر ویژگی‌های طراحی	هیت‌سینک از جنس آلومینیوم	-
رنگ‌بندی	-	سبز

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون ValueRAM KVR16N11/8 ظرفیت 8 گیگابایت از نوع DDR3-1600با سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون ValueRAM KVR16N11/8 ظرفیت 8 گیگابایت از نوع DDR3-1600	سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333
تکنولوژی حافظه	DDR3	DDR3
نوع حافظه	DDR3-1600	DDR3-1333
نوع ماژول (Form Factor)	UDIMM	SODIMM
نوع کاربری	دسکتاپ	لپ‌تاپ
ظرفیت	8 MB	4 MB
سرعت (فرکانس)	1600 مگاهرتز	1333 مگاهرتز
پهنای باند (Bandwidth)	12800 مگابایت بر ثانیه	10600 مگابایت بر ثانیه
تعداد پین‌ها	240	204
تاخیر CAS (CL)	CL11	CL9
زمانبندی (Latency)	11-11-11	-
مقدار ولتاژ	1.50 ولت	1.50 ولت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه‌ی سانتی‌گراد	-
سیستم بافر (Buffered)	false	false
تکنولوژی ECC (اصلاح خطا)	false	false
پشتیبانی از پروفایل XMP	false	false
هیت سینک (Heat Sink)	false	false
قابلیت نورپردازی RGB	false	false
رنگ‌بندی	سبز	سبز

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه جی اسکیل Trident Z ظرفیت 32 گیگابایت (2x16) از نوع DDR4-4000با سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333

جی اسکیل VS Samsung

ویژگی	جی اسکیل Trident Z ظرفیت 32 گیگابایت (2x16) از نوع DDR4-4000	سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333
نام معادل	G.Skill F4-4000C19D-32GTZSW ** G.Skill F4-4000C19D-32GTZKK	-
تکنولوژی حافظه	DDR4	DDR3
نوع حافظه	DDR4-4000	DDR3-1333
نوع ماژول (Form Factor)	UDIMM	SODIMM
نوع کاربری	دسکتاپ	لپ‌تاپ
ظرفیت	32 MB	4 MB
سرعت (فرکانس)	4000 مگاهرتز	1333 مگاهرتز
فرکانس در حالت SPD	2133 مگاهرتز	-
پهنای باند (Bandwidth)	32000 مگابایت بر ثانیه	10600 مگابایت بر ثانیه
تعداد پین‌ها	288	204
تاخیر CAS (CL)	CL19	CL9
زمانبندی (Latency)	19-19-19-39	-
مقدار ولتاژ	1.35 ولت	1.50 ولت
مقدار ولتاژ در SPD	1.20 ولت	-
سیستم بافر (Buffered)	false	false
تکنولوژی ECC (اصلاح خطا)	false	false
پشتیبانی از پروفایل XMP	true	false
قابلیت‌های جانبی	XMP نسخه 2.0 ** قابلیت اورکلاک	-
هیت سینک (Heat Sink)	true	false
قابلیت نورپردازی RGB	false	false
سایر ویژگی‌های طراحی	هیت‌سینک از جنس آلومینیوم	-
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای	سبز

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون ValueRAM KVR13N9S8/4 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333با سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون ValueRAM KVR13N9S8/4 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333	سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333
تکنولوژی حافظه	DDR3	DDR3
نوع حافظه	DDR3-1333	DDR3-1333
نوع ماژول (Form Factor)	UDIMM	SODIMM
نوع کاربری	دسکتاپ	لپ‌تاپ
ظرفیت	4 MB	4 MB
سرعت (فرکانس)	1333 مگاهرتز	1333 مگاهرتز
پهنای باند (Bandwidth)	10600 مگابایت بر ثانیه	10600 مگابایت بر ثانیه
تعداد پین‌ها	240	204
تاخیر CAS (CL)	CL9	CL9
زمانبندی (Latency)	9-9-9	-
مقدار ولتاژ	1.50 ولت	1.50 ولت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه‌ی سانتی‌گراد	-
سیستم بافر (Buffered)	false	false
تکنولوژی ECC (اصلاح خطا)	false	false
پشتیبانی از پروفایل XMP	false	false
هیت سینک (Heat Sink)	false	false
قابلیت نورپردازی RGB	false	false
رنگ‌بندی	سبز	سبز

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون ValueRAM KVR13R9D4/16 ظرفیت 16 گیگابایت از نوع DDR3-1333با سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون ValueRAM KVR13R9D4/16 ظرفیت 16 گیگابایت از نوع DDR3-1333	سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333
تکنولوژی حافظه	DDR3	DDR3
نوع حافظه	DDR3-1333	DDR3-1333
نوع ماژول (Form Factor)	RDIMM	SODIMM
نوع کاربری	سرور	لپ‌تاپ
ظرفیت	16 MB	4 MB
سرعت (فرکانس)	1333 مگاهرتز	1333 مگاهرتز
پهنای باند (Bandwidth)	10600 مگابایت بر ثانیه	10600 مگابایت بر ثانیه
تعداد پین‌ها	240	204
تاخیر CAS (CL)	CL9	CL9
زمانبندی (Latency)	9-9-9	-
مقدار ولتاژ	1.50 ولت	1.50 ولت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه‌ی سانتی‌گراد	-
سیستم بافر (Buffered)	true	false
تکنولوژی ECC (اصلاح خطا)	true	false
پشتیبانی از پروفایل XMP	false	false
هیت سینک (Heat Sink)	false	false
قابلیت نورپردازی RGB	false	false
رنگ‌بندی	سبز	سبز

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه جی اسکیل Trident Z Royal ظرفیت 32 گیگابایت (2x16) از نوع DDR4-4000با سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333

جی اسکیل VS Samsung

ویژگی	جی اسکیل Trident Z Royal ظرفیت 32 گیگابایت (2x16) از نوع DDR4-4000	سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333
نام معادل	G.Skill F4-4000C19D-32GTRS ** G.Skill F4-4000C19D-32GTRG	-
تکنولوژی حافظه	DDR4	DDR3
نوع حافظه	DDR4-4000	DDR3-1333
نوع ماژول (Form Factor)	UDIMM	SODIMM
نوع کاربری	دسکتاپ	لپ‌تاپ
ظرفیت	32 MB	4 MB
سرعت (فرکانس)	4000 مگاهرتز	1333 مگاهرتز
فرکانس در حالت SPD	2133 مگاهرتز	-
پهنای باند (Bandwidth)	32000 مگابایت بر ثانیه	10600 مگابایت بر ثانیه
تعداد پین‌ها	288	204
تاخیر CAS (CL)	CL19	CL9
زمانبندی (Latency)	19-19-19-39	-
مقدار ولتاژ	1.35 ولت	1.50 ولت
مقدار ولتاژ در SPD	1.20 ولت	-
سیستم بافر (Buffered)	false	false
تکنولوژی ECC (اصلاح خطا)	false	false
پشتیبانی از پروفایل XMP	true	false
قابلیت‌های جانبی	XMP نسخه 2.0 قابلیت اورکلاک سازگار با Intel و AMD	-
هیت سینک (Heat Sink)	true	false
قابلیت نورپردازی RGB	true	false
سایر ویژگی‌های طراحی	هیت‌سینک از جنس آلومینیوم ** امکان همگام‌سازی نورپردازی با Aura Sync ایسوس، Mystic Light ام اس آی، RGB Fusion گیگابایت و Polychrome ازراک	-
رنگ‌بندی	طلایی، نقره‌ای	سبز

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون KTH9600BS/2G ظرفیت 2 گیگابایت از نوع DDR3-1333با سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون KTH9600BS/2G ظرفیت 2 گیگابایت از نوع DDR3-1333	سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333
تکنولوژی حافظه	DDR3	DDR3
نوع حافظه	DDR3-1333	DDR3-1333
نوع ماژول (Form Factor)	UDIMM	SODIMM
نوع کاربری	دسکتاپ	لپ‌تاپ
ظرفیت	2 MB	4 MB
سرعت (فرکانس)	1333 مگاهرتز	1333 مگاهرتز
پهنای باند (Bandwidth)	10600 مگابایت بر ثانیه	10600 مگابایت بر ثانیه
تعداد پین‌ها	240	204
تاخیر CAS (CL)	CL9	CL9
مقدار ولتاژ	1.50 ولت	1.50 ولت
سیستم بافر (Buffered)	false	false
تکنولوژی ECC (اصلاح خطا)	false	false
پشتیبانی از پروفایل XMP	false	false
هیت سینک (Heat Sink)	false	false
قابلیت نورپردازی RGB	false	false
رنگ‌بندی	سبز	سبز

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون ValueRAM KVR1333D3N9/8G ظرفیت 8 گیگابایت از نوع DDR3-1333با سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون ValueRAM KVR1333D3N9/8G ظرفیت 8 گیگابایت از نوع DDR3-1333	سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333
تکنولوژی حافظه	DDR3	DDR3
نوع حافظه	DDR3-1333	DDR3-1333
نوع ماژول (Form Factor)	UDIMM	SODIMM
نوع کاربری	دسکتاپ	لپ‌تاپ
ظرفیت	8 MB	4 MB
سرعت (فرکانس)	1333 مگاهرتز	1333 مگاهرتز
پهنای باند (Bandwidth)	10600 مگابایت بر ثانیه	10600 مگابایت بر ثانیه
تعداد پین‌ها	240	204
تاخیر CAS (CL)	CL9	CL9
زمانبندی (Latency)	9-9-9	-
مقدار ولتاژ	1.50 ولت	1.50 ولت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه‌ی سانتی‌گراد	-
سیستم بافر (Buffered)	false	false
تکنولوژی ECC (اصلاح خطا)	false	false
پشتیبانی از پروفایل XMP	false	false
هیت سینک (Heat Sink)	false	false
قابلیت نورپردازی RGB	false	false
رنگ‌بندی	سبز	سبز

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار Hades RGB ظرفیت 8 گیگابایت از نوع DDR4-3200با سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333

لکسار VS Samsung

ویژگی	لکسار Hades RGB ظرفیت 8 گیگابایت از نوع DDR4-3200	سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333
تکنولوژی حافظه	DDR4	DDR3
نوع حافظه	DDR4-3200	DDR3-1333
نوع ماژول (Form Factor)	UDIMM	SODIMM
نوع کاربری	دسکتاپ	لپ‌تاپ
ظرفیت	8 MB	4 MB
سرعت (فرکانس)	3200 مگاهرتز	1333 مگاهرتز
پهنای باند (Bandwidth)	25600 مگابایت بر ثانیه	10600 مگابایت بر ثانیه
تعداد پین‌ها	288	204
تاخیر CAS (CL)	CL19	CL9
مقدار ولتاژ	1.20 ولت	1.50 ولت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه‌ی سانتی‌گراد	-
سیستم بافر (Buffered)	false	false
تکنولوژی ECC (اصلاح خطا)	false	false
پشتیبانی از پروفایل XMP	true	false
قابلیت‌های جانبی	XMP نسخه 2.0 ** قابلیت اورکلاک	-
اندازه و ابعاد	6.2 * 45.6 * 137.8 میلی‌متر	-
هیت سینک (Heat Sink)	true	false
قابلیت نورپردازی RGB	true	false
سایر ویژگی‌های طراحی	هیت‌سینک از جنس آلومینیوم ** امکان همگام‌سازی نورپردازی با Aura Sync ایسوس، Mystic Light ام اس آی، RGB Fusion گیگابایت و Polychrome ازراک	-
رنگ‌بندی	-	سبز

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333با سامسونگ M471B5673FH0-CH9 ظرفیت 2 گیگابایت از نوع DDR3-1333

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333	سامسونگ M471B5673FH0-CH9 ظرفیت 2 گیگابایت از نوع DDR3-1333
تکنولوژی حافظه	DDR3	DDR3
نوع حافظه	DDR3-1333	DDR3-1333
نوع ماژول (Form Factor)	SODIMM	SODIMM
نوع کاربری	لپ‌تاپ	لپ‌تاپ
ظرفیت	4 MB	2 MB
سرعت (فرکانس)	1333 مگاهرتز	1333 مگاهرتز
پهنای باند (Bandwidth)	10600 مگابایت بر ثانیه	10600 مگابایت بر ثانیه
تعداد پین‌ها	204	204
تاخیر CAS (CL)	CL9	CL9
مقدار ولتاژ	1.50 ولت	1.50 ولت
سیستم بافر (Buffered)	false	false
تکنولوژی ECC (اصلاح خطا)	false	false
پشتیبانی از پروفایل XMP	false	false
هیت سینک (Heat Sink)	false	false
قابلیت نورپردازی RGB	false	false
رنگ‌بندی	سبز	سبز

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333با ترنسند TS512MSK64W6H ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3L-1600

Samsung VS ترنسند

ویژگی	سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333	ترنسند TS512MSK64W6H ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3L-1600
تکنولوژی حافظه	DDR3	DDR3L
نوع حافظه	DDR3-1333	DDR3L-1600
نوع ماژول (Form Factor)	SODIMM	SODIMM
نوع کاربری	لپ‌تاپ	لپ‌تاپ
ظرفیت	4 MB	4 MB
سرعت (فرکانس)	1333 مگاهرتز	1600 مگاهرتز
پهنای باند (Bandwidth)	10600 مگابایت بر ثانیه	12800 مگابایت بر ثانیه
تعداد پین‌ها	204	204
تاخیر CAS (CL)	CL9	CL11
مقدار ولتاژ	1.50 ولت	1.35 ولت
سیستم بافر (Buffered)	false	false
تکنولوژی ECC (اصلاح خطا)	false	false
پشتیبانی از پروفایل XMP	false	false
هیت سینک (Heat Sink)	false	false
قابلیت نورپردازی RGB	false	false
رنگ‌بندی	سبز	سبز
اندازه و ابعاد	-	7 * 25 * 43 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ M471B1G73BH0-CK0 ظرفیت 8 گیگابایت از نوع DDR3-1600با سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ M471B1G73BH0-CK0 ظرفیت 8 گیگابایت از نوع DDR3-1600	سامسونگ M471B5273CH0-CH9 ظرفیت 4 گیگابایت از نوع DDR3-1333
تکنولوژی حافظه	DDR3	DDR3
نوع حافظه	DDR3-1600	DDR3-1333
نوع ماژول (Form Factor)	SODIMM	SODIMM
نوع کاربری	لپ‌تاپ	لپ‌تاپ
ظرفیت	8 MB	4 MB
سرعت (فرکانس)	1600 مگاهرتز	1333 مگاهرتز
پهنای باند (Bandwidth)	12800 مگابایت بر ثانیه	10600 مگابایت بر ثانیه
تعداد پین‌ها	204	204
تاخیر CAS (CL)	CL11	CL9
زمانبندی (Latency)	11-11-11	-
مقدار ولتاژ	1.50 ولت	1.50 ولت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه‌ی سانتی‌گراد	-
سیستم بافر (Buffered)	false	false
تکنولوژی ECC (اصلاح خطا)	false	false
پشتیبانی از پروفایل XMP	false	false
هیت سینک (Heat Sink)	false	false
قابلیت نورپردازی RGB	false	false
رنگ‌بندی	سبز	سبز

مشاهده جزئیات مقایسه