مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی	SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
وزن محصول	۳۴.۴ گرم	9 گرم
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه	HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	-	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

پردیتور VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۲۵۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۹۷۴۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷ گرم	9 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	۳D TLC
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۴۰۰
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	۳D TLC
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۴۰۰
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	QLC
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	۵ V
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۵۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۷۸۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۶۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
اندازه و ابعاد	M.۲	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۲.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	۵ V
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
وزن محصول	۱۶۴ گرم	9 گرم
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه	Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	-	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

Samsung VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	۳D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۲۵۰
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۷ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه