مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 2-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	100.000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	2 گیگابایت از نوع SDRAM
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	51 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سیگیت

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	47 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS مایکروسافت

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	درگاه اختصاصی
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	68 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS بلو

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	525 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	81,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	52 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.25 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	37.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	2 گیگابایت از نوع SDRAM
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS بلو

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	90,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	82,000ّIOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	50 میلی‌وات * حالت فعال ** 1.8 وات * حالت خواندن ** 2.0 وات * حالت نوشتن ** 36 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار WD SSD Dashboard
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	4.8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سابرنت VS سامسونگ

ویژگی	سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D QLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	260 (TBW) ترابایت	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
اندازه و ابعاد	10 * 80 * 100 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	2Ch	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	350 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	41 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	46 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.3 و بالاتر لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه	-	پلاستیک
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 22110	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Phoenix	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	Samsung 1.5 GB LPDDR4	2 گیگابایت از نوع SDRAM
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	20 گرم	9 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	SanDisk BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	Marvell 88SS1074
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	95,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	85,000ّIOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	60 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.55 وات * حالت خواندن ** 3.75 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	37.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه