صفحه 2 از مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۲ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کلیو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۵۶۰۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۵۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۰۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۰ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

دِل VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	2 ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۳۲۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۲.۸ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۱۵۰۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۳ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	۳D cMLC
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۲۰۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	9 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	9 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	۴۴۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	M.۲
وزن محصول	9 گرم	۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	9 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال 135399

KingSpec VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	SSD اینترنال 135399
نوع کاربری حافظه	درایو حالت جامد داخلی	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe Gen3x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
شیوه اتصال	NVMe Gen3x4	-
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	تا 2400 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	کنترلر اصلی با کیفیت بالا	Samsung in-house Controller
قابلیت پشتیبانی از TRIM	بله	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	بله	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
قابلیت‌های جانبی	تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه	SSD، مستندات	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	2280 M.2
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2 گیگابایت از نوع SDRAM
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	۳D eTLC
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	۱۲ V
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه