مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	-	- کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Samsung Magician	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	31 گرم
میزان توان مصرفی	- 7.8 وات در حالت استفاده - 5 میلی‌وات در حالت Sleep - 50 میلی‌وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,200,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع SDRAM	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Samsung Magician	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 7.8 وات در حالت استفاده - 5 میلی‌وات در حالت Sleep - 50 میلی‌وات در حالت Idle	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,200,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع SDRAM	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Samsung Magician	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	9 گرم	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	- 7.8 وات در حالت استفاده - 5 میلی‌وات در حالت Sleep - 50 میلی‌وات در حالت Idle	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,200,000IOPS	510,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع SDRAM	DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Samsung Magician	- پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	- استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	9 گرم	60 گرم
میزان توان مصرفی	- 7.8 وات در حالت استفاده - 5 میلی‌وات در حالت Sleep - 50 میلی‌وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,200,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع SDRAM	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ایکس پی جی

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Samsung Magician	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	11 گرم
میزان توان مصرفی	- 7.8 وات در حالت استفاده - 5 میلی‌وات در حالت Sleep - 50 میلی‌وات در حالت Idle	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,200,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع SDRAM	DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Samsung Magician	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 7.8 وات در حالت استفاده - 5 میلی‌وات در حالت Sleep - 50 میلی‌وات در حالت Idle	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,200,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع SDRAM	NANYA DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Samsung Magician	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 7.8 وات در حالت استفاده - 5 میلی‌وات در حالت Sleep - 50 میلی‌وات در حالت Idle	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,200,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع SDRAM	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Samsung Magician	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 7.8 وات در حالت استفاده - 5 میلی‌وات در حالت Sleep - 50 میلی‌وات در حالت Idle	- 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,200,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع SDRAM	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Samsung Magician	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	- 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	9 گرم	- 7 گرم (بدون هیت‌سینک) - 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	- 7.8 وات در حالت استفاده - 5 میلی‌وات در حالت Sleep - 50 میلی‌وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,200,000IOPS	750,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع SDRAM	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Samsung Magician	- مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	- 7.8 وات در حالت استفاده - 5 میلی‌وات در حالت Sleep - 50 میلی‌وات در حالت Idle	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,200,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع SDRAM	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Samsung Magician	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 7.8 وات در حالت استفاده - 5 میلی‌وات در حالت Sleep - 50 میلی‌وات در حالت Idle	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,200,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع SDRAM	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Samsung Magician	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 7.8 وات در حالت استفاده - 5 میلی‌وات در حالت Sleep - 50 میلی‌وات در حالت Idle	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,200,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع SDRAM	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه