نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | M.2 22110 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 256 گیگابایت | 960 گیگابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | 3D NAND | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
نرخ خواندن ترتیبی | 3500 مگابایت بر ثانیه | 3000 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 1200 مگابایت بر ثانیه | 1200 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 210,000IOPS | 400,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 230,000IOPS | 38,000IOPS |
حافظه DRAM | دارد | دارد |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
طول عمر متوسط | - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW) | - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1366 ترابایت (TBW) |
کنترلر (Controller) | - | Phoenix |
نوع حافظه DRAM | - | Samsung 1.5 GB LPDDR4 |
میزان توان مصرفی | - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش | - 8 وات در حالت فعال - 2.6 وات در حالت Idle |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | ندارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | ندارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit | AES 256-bit |
قابلیتهای جانبی | - مناسب گیمینگ - قابلیت شخصیسازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه | - |
مجوزها و تاییدیهها | RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco | - پشتیبانی از WWN - پشتیبانی از Garbage Collection - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه |
---|
اندازه و ابعاد | 8 × 22 × 80 میلیمتر | 38 × 22 × 110.2 ميلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 13.4 گرم | 20 گرم |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | - |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟