صفحه 47 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا LEGEND 850 Lite NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 850 Lite NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** سازگار با کنسول بازی PS5 ** نرم‌افزار SSD ToolBox -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.63 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.65 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم (با هیت سینک) ** 5.5 گرم (بدون هیت سینک) 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 450 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4200 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Black SN770 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال Black SN770 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نشانگر وضعیت LED - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 5.5 گرم
میزان توان مصرفی 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS 800,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 600 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 80 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 5150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 4850 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller -

مقایسه کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس SIV SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 71 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 2.5 W 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 52,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
میزان توان مصرفی 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC TLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller SMI

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.4 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
رنگ‌بندی - خاکستری، رزگلد
وزن محصول 8 گرم -
میزان توان مصرفی 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 120 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS 155 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC TLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller SMI

مقایسه ای دیتا Ultimate SU650 SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا Ultimate SU650 SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 40,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTTF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 410 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Maxiotek Samsung In-House Controller

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا بایواستار S120 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

بایواستار S120 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** لینوکس ** مک
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر لرزش و ضربه
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 7 * 80 * 120 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 36 گرم
میزان توان مصرفی 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 525 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller -

مقایسه اچ پی S750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی S750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 3G لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI, RoHS, VCCI FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد ضخامت 6.7 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 50 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی حداکثر 2.2 وات هنگام استفاده و 40 میلی‌وات در حالت استندبای 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 79,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 96Layer 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) HP H6578 Samsung In-House Controller

مقایسه ای دیتا XPG SX7000 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX7000 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 35,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 95,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2260 Samsung In-House Controller

مقایسه پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پی ان وای Elite USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل Micro-B به USB Type-A -
نشانگر وضعیت LED true -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, WEEE, BSMI FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Micro-B به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 8.9 * 35.5 * 60 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 50 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 430 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B)
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 6.46 گرم
میزان توان مصرفی 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle 0.08 وات * حالت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 0.01 وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 37,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS 63,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,000,000 (MTTF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 120 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 545 گیگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 435 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller -

مقایسه ای دیتا XPG SX6000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX6000 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 100,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 110,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Realtek Samsung In-House Controller