صفحه 4 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.3 * 69.85 * 99 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	535 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ترنسند VS سامسونگ

ویژگی	ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش و ضربه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	57 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	70,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	70,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 MB DDR3	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Transcend TS6500	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ VS اینتل

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	ضخامت 7 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
میزان توان مصرفی	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	18,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Intel 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	490 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS پایونیر

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	10 گرم
میزان توان مصرفی	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	490,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

سامسونگ VS اچ پی

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اچ پی Value Endurance SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت
محتویات جعبه	-	نگه‌دارنده SmartDrive
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SAS 12Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SAS
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	150 گرم
میزان توان مصرفی	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	9 وات در حالت فعال
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	103,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	89,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	800 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 128GB$

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 128GB

سامسونگ VS توین موس

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 128GB
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
میزان توان مصرفی	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	SMI

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ VS خودروسازی دی اس

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 × 69.85 × 100.5 ميلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	32.6 گرم
میزان توان مصرفی	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	37,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	63,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,750,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS اچ پی

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار HP Storage Data Migration Utilities
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	6.7 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	50 گرم
میزان توان مصرفی	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	1.38 وات * حالت فعال ** 0.34 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	75,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	90,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 295 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Micron 384Gbit 32-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	515 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	Silicon Motion SM2258XT

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس VS سامسونگ

ویژگی	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, cTUVus, RoHS	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	260,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	270,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3080 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS اچ پی

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	5.4 گرم
میزان توان مصرفی	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	3.55 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	260,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Micron 64L TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	2150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1815 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	HP Custom SMI SM2263XT

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه وسترن دیجیتال Green WDS240G1G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه وسترن دیجیتال Green WDS240G1G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

خودروسازی دی اس VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Green WDS240G1G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار WD SSD Dashboard	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100.5 ميلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	32 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	0.05 وات به صورت میانگین ** 2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت آماده باش	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	37,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	68,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	1,750,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	465 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه