صفحه 33 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه لایت آن MU3 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	لایت آن MU3 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 8.1 و بالاتر - لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, BSMI, KCC	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	60 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	67,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 70 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت / 2 آمپر	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام جی VS سامسونگ

ویژگی	تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه ویستا و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	12.9 × 23.4 × 80.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison E12	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 80 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	128 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ادلینک S68 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ادلینک VS سامسونگ

ویژگی	ادلینک S68 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 و 8 (نیاز به درایور) و ویندوز 10 - لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	TCG OPAL3, TCG Pyrite	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.2 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 400 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گودگا SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گودگا VS سامسونگ

ویژگی	گودگا SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC - قابل استفاده برای لپ‌تاپ و PC - زمان دسترسی 0.07 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 70 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	پلاستیک	-
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	91,600IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	71,100IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	570 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گودگا SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گودگا VS سامسونگ

ویژگی	گودگا SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC - قابل استفاده برای لپ‌تاپ و PC - زمان دسترسی: 0.07 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 70 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	پلاستیک	-
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	91,600IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	71,100IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	128 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	570 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	سازگار با پلی‌استیشن 5	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 درصد و دمای 40 درجه - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 درصد و دمای 40 درجه - نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	11 × 23 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	340 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,600,000 ساعت (MTBF) - 1400 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7100 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سابرنت VS سامسونگ

ویژگی	سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	3600 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96L TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

خودروسازی دی اس VS سامسونگ

ویژگی	سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل USB نوع C به USB نوع C - تبدیل USB نوع C به USB نوع A - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش - دارای گواهینامه IP65	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	9.6 × 52.5 × 100.8 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، آبی، سبز	-
مواد بدنه	پلاستیک	-
وزن محصول	52 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1050 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS سامسونگ

ویژگی	لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A - کابل USB Type-C به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	9.5 × 60 × 86 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	40.6 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گودگا 2280 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گودگا VS سامسونگ

ویژگی	گودگا 2280 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE ,FCC ,RoHS	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	82 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	58,800IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	62,500IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,000,000 ساعت (MTTF) - 45 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	128 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS سامسونگ

ویژگی	لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	188,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	156,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه