صفحه 26 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ مکس PX4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	کینگ مکس PX4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2780 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 360 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 180 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس SA3080 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس SA3080 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	50,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	128 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	350 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس SA3080 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس SA3080 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	50,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	52,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 310 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس SMV SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس SMV SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100.5 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	71 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	55,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	60,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 480 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	960 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس SMV SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس SMV SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100.5 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	71 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	1.8 وات	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	50,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 60 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	-	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	350 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس SME35 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس SME35 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر لرزش و ضربه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	71 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	حداکثر 3.5 وات هنگام استفاده و 400 میلی‌وات در حالت Idle	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
طول عمر متوسط	1,200,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	480 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	300 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس SME35 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس SME35 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر لرزش و ضربه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	71 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	حداکثر 3.5 وات هنگام استفاده و 400 میلی‌وات در حالت Idle	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
طول عمر متوسط	1,200,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	300 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس SMQ32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس SMQ32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100.5 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	71 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	2 وات	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	50,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	52,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	480 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	128 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه