1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. صفحه 13

صفحه 13 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری TCG Opal 2.0 ** AES 256 بیت AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 11 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 0.3 میلی‌وات * حالت Idle ** 0.2 میلی‌وات * حالت میانگین ** 2.1 وات * حالت خواندن ** 7 وات * حالت نوشتن 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI 2262EN Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای دیتا SU720 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه ای دیتا SU720 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه ای دیتا SU720 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ
ویژگی

ای دیتا SU720 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, KCC, EAC, Morocco, RCM FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 47.5 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 30,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 50 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ
ویژگی

ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED true -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, KC, EAC, RoHS FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.5 * 54.8 * 84.7 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی، سفید -
وزن محصول 35 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM - false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 35 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ
ویژگی

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED true -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 -
مجوزها و تاییدیه‌ها استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 15.2 * 80 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی، آبی، قرمز -
مواد بدنه پلاستیک -
وزن محصول 60 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 440 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 430 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Maxio Technology MAS0902A Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای دیتا LEGEND 960 MAX NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه ای دیتا LEGEND 960 MAX NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه ای دیتا LEGEND 960 MAX NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ
ویژگی

ای دیتا LEGEND 960 MAX NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 10.65 * 23.2 * 80.6 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 36.6 گرم (با هیت سینک) ** 7.3 گرم (بدون هیت سینک) 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 630,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای دیتا SC680 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه ای دیتا SC680 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه ای دیتا SC680 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ
ویژگی

ای دیتا SC680 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C ** کابل اتصال USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED true -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, KC, EAC, RoHS FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 10 * 61 * 86.7 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی، آبی -
وزن محصول 35 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ
ویژگی

ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.13 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم (با هیت سینک) ** 6.2 گرم (بدون هیت سینک) 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) RTS5766DL Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 13 * 59 * 88 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی، آبی، طوسی -
وزن محصول 98 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور VS سامسونگ
ویژگی

سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار SP Toolbox -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سیلیکون پاور Ace A56 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سیلیکون پاور Ace A56 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سیلیکون پاور Ace A56 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور VS سامسونگ
ویژگی

سیلیکون پاور Ace A56 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ
ویژگی

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی دارای گواهینامه‌های RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 13.4 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیل Zenith Z3 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیل Zenith Z3 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیل Zenith Z3 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیل VS سامسونگ
ویژگی

گیل Zenith Z3 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 470 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه