صفحه 81 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا LEGEND 840 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	ای دیتا LEGEND 840 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	- 3.13 × 22 × 80 میلی‌متر با هیت سینک - 2.15 × 22 × 80 میلی‌متر بدون هیت سینک	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	- 9 گرم با هیت سینک - 6 گرم بدون هیت سینک	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	650,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 650 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Innogrit IG5220	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- دارای هیت‌سینک آلومینیومی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) - نرم‌افزار SSD ToolBox	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	15 × 25.2 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6700 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	InnoGrit IG5236	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پاتریوت Viper VPN100 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پاتریوت VS سامسونگ

ویژگی	پاتریوت Viper VPN100 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- 6 باله‌ی حرارتی - قابلیت پایش دمای حافظه - نرم‌افزار VIPER VPN100 SSD Toolbox	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	10.5 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	100,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L TLC	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	SK Hynix DDR4	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison E12	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پاتریوت VS سامسونگ

ویژگی	پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - قابلیت پایش دمای حافظه - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (ETEP) فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.8 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.07 وات در حالت فعال - 0.37 وات در حالت Idle	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	290,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	260,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	80 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Kioxia 96L TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison E13T	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Premier SP550 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا Premier SP550 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی - نرم‌افزار SSD ToolBox	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100.45 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	47.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	60,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	70,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 90 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	410 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR3	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ایسوس VS سامسونگ

ویژگی	ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 و بالاتر - مک OS نسخه 10.6 و بالاتر - اندروید - کروم OS	-
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از کدینگ LPDC - پشتیبانی از SLC Cache	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	IEEE 1667	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6000 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	E18	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اسکو ON900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اسکو VS سامسونگ

ویژگی	اسکو ON900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	FC, CE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	4.1 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس VS سامسونگ

ویژگی	توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک OS نسخه 10.1 و بالاتر - لینوکس هسته 2.4 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	خاکستری، رزگلد	-
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	120 مگابایت بر ثانیه	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	155 مگابایت بر ثانیه	500,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC 3D NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار SSD ToolBox - نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	70,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 384Gb 32-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1370 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	810 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR3	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2260	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M461 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M461 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) - قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.15 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- حداکثر 4.4 وات هنگام استفاده - 50 میلی‌وات در حالت Idle	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	680,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	880,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 450 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4200 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	PHISON E21T	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Falcon NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا Falcon NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, KC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.9 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,800,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3100 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Realtek RTS5762DL	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه توشیبا N300 NAS SATA 3.5 Inch ظرفیت 12 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توشیبا VS سامسونگ

ویژگی	توشیبا N300 NAS SATA 3.5 Inch ظرفیت 12 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	3.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	26.1 × 101.85 × 147 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	720 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 6.13 وات در حالت فعال - 3.78 وات در حالت Idle	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,000,000 ساعت (MTBF) - 180 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	5 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	12 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	-	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	12 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه