صفحه 64 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	86 گرم
میزان توان مصرفی	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش	- 2.5 وات در حالت خواندن - 2.5 وات در حالت نوشتن - 50 میلی‌وات در حالت آماده باش - 2 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	90,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	250 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	512MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	Samsung MJX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اپیسر AS350X SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ایسر VS سامسونگ

ویژگی	اپیسر AS350X SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - مقاوم در برابر حداکثر 15G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, BSMI, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 70 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 275 وات در حالت فعال - 80 میلی‌وات در حالت Idle	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 835 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	128 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اپیسر AS350X SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ایسر VS سامسونگ

ویژگی	اپیسر AS350X SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - مقاوم در برابر حداکثر 15G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, BSMI, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 70 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 275 وات در حالت فعال - 80 میلی‌وات در حالت Idle	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	93,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 835 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS OCPC

ویژگی	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز - مک - لینوکس
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از RAID		-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		-
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4x4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	10 گرم
میزان توان مصرفی	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	-
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
میزان ظرفیت حافظه	250 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ایکس انرژی VS سامسونگ

ویژگی	ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 16G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	128 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, RCM, KCC, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.7 × 69.8 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	2,500,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SM2258XT	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی MBL-400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک - لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	- TCG Opal 2.0 - AES 256بیت	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	11 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.3 میلی‌وات در حالت Idle - 0.2 میلی‌وات در حالت میانگین - 2.1 وات در حالت خواندن - 7 وات در حالت نوشتن	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI 2262EN	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی MFL-300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی MFL-300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک - لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen3 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اپیسر AS350 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ایسر VS سامسونگ

ویژگی	اپیسر AS350 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - نرم‌افزار Apacer SSD Utility	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	KCC, CE, FCC, VCCI, RCM, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	59 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.36 وات در حالت فعال - 0.32 وات در حالت استندبای	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	30,176IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با نتاک Z Slim USB 3.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS نتاک

ویژگی	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	نتاک Z Slim USB 3.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز 7 و بالاتر - مک OS
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD	سرعت انتقال داده 550 مگابایت بر ثانیه
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	9 × 29 × 100 میلی‌متر
مواد بدنه	-	فلز
وزن محصول	8 گرم	30 گرم
میزان توان مصرفی	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	-
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
میزان ظرفیت حافظه	250 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	-
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا LEGEND 850 Lite NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا LEGEND 850 Lite NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - سازگار با کنسول بازی PS5 - نرم‌افزار SSD ToolBox	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	- 3.63 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت سینک) - 2.65 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	- 8.5 گرم (با هیت سینک) - 5.5 گرم (بدون هیت سینک)	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 450 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4200 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه