1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه ای دیتا XPG SX6000 Lite NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه ای دیتا XPG SX6000 Lite NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه ای دیتا XPG SX6000 Lite NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ
ویژگی

ای دیتا XPG SX6000 Lite NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** پشتیبانی از SLC Cache و HMB ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 100,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 600 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه پایونیر APS-SL3N SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه پایونیر APS-SL3N SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه پایونیر APS-SL3N SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پایونیر VS سامسونگ
ویژگی

پایونیر APS-SL3N SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 * 70 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط 70 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک ** ان*وید -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه ** قابل نگهداری و استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 *صد -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 10 * 53.9 * 79.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز -
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 45.4 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 1.8 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 1 وات * حالت Idle 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 6,500IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 10,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 380 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 110 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM3350 Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS سامسونگ
ویژگی

لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 110,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 151,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 125 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی 6.500 وات * حالت خواندن ** 6.600 وات * حالت نوشتن ** 0.211 وات * حالت Idle 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3‎D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR4 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 1.65 وات * حالت خواندن ** 1.8 وات * حالت نوشتن ** 0.48 وات * حالت Idle 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کداک VS سامسونگ
ویژگی

کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over-Provision برای افزایش عمر حافظه ** توان مصرفی پایین ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 110,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3100 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کداک VS سامسونگ
ویژگی

کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over-Provision برای افزایش عمر حافظه ** توان مصرفی پایین ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت مدیریت Bad block -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3100 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی 3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 295,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 430,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس VS سامسونگ
ویژگی

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED - false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3080 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت GP-GSTFS31100TNTD SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت GP-GSTFS31100TNTD SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت GP-GSTFS31100TNTD SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت GP-GSTFS31100TNTD SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی قابلیت نمایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی 2.24 وات * حالت خواندن ** 2.61 وات * حالت نوشتن ** 330 میلی‌وات * حالت Idle 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 75,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Flash Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ایکس انرژی VS سامسونگ
ویژگی

ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه