نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 512 گیگابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung Phoenix | - |
نرخ خواندن ترتیبی | 3500 مگابایت بر ثانیه | 2500 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 3300 مگابایت بر ثانیه | 1900 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 600,000IOPS | - |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 550,000IOPS | - |
حافظه DRAM | دارد | ندارد |
نوع حافظه DRAM | 1 گیگابایت LPDDR4 | - |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW) | 2,000,000 ساعت (MTBF) |
میزان توان مصرفی | - 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلیوات در حالت Idle | - |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
قابلیتهای جانبی | - | - بهینهساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - محافظت از دادهها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) |
اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر | 2 × 22 × 80 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 8 گرم | 6.6 گرم |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | - |
---|
مجوزها و تاییدیهها | - | BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟