مقایسه
سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
با
هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
مقایسه
سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
با
هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
مقایسه ویژگی ها
| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیره‌سازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 256 گیگابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D TLC NAND |
| کنترلر (Controller) | Samsung Phoenix | - |
| نرخ خواندن ترتیبی | 3500 مگابایت بر ثانیه | 1900 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 3300 مگابایت بر ثانیه | 1200 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی داده‌ها | 600,000IOPS | 85,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها | 550,000IOPS | 130,000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | ندارد |
| نوع حافظه DRAM | 1 گیگابایت LPDDR4 | - |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد | 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
| طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW) | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW) |
| میزان توان مصرفی | - 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle | - 7 وات در حالت خواندن - 5 وات در حالت نوشتن |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | ندارد |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
| قابلیت‌های جانبی | - | - مقاوم در برابر لرزش - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد |
| اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 8 گرم | 8 گرم |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
شما چه امتیازی می دهید؟
