مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ استار G300 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کینگ استار G300 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش و ضربه -
اندازه و ابعاد 7 * 69 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه ای دیتا Swordfish NVMe M.2 ظرفیت 1 تربایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا Swordfish NVMe M.2 ظرفیت 1 تربایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) SanDisk BiCS4 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Realtek RTS5763DL Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, KC -
اندازه و ابعاد 3.85 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 10.5 گرم 8 گرم
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 2-bit MLC Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 100.000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 50 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Phison E16 Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 4975 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3975 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048 AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی بهینه سازی مصرف انرژی ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, FCC, CE -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 4 ترابایت مشکیبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 4 ترابایت مشکی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اندازه و ابعاد 2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۱۸۰ گرم 8 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۳۶۲ مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۵۸ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Rubber, Silicone -
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA) -
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 240 گیگابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عاملبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 240 گیگابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عامل

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اندازه و ابعاد M.2 (۴۵ * ۱۲ * ۱۱۱ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۸۶ گرم 8 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۳۷۰ مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۷۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Zinc -
مجوزها و تاییدیه‌ها C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE -
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 2 ترابایت سبزبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 2 ترابایت سبز

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اندازه و ابعاد 2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی Green -
وزن محصول ۱۸۰ گرم 8 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۳۶۲ مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۵۸ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Rubber, Silicone -
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA) -
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت USB 3.2 Gen 2 مشکی/نارنجی

ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت USB 3.2 Gen 2 مشکی/نارنجی

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 No
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Orange
مواد بدنه - Polycarbonate (PC)

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.65 وات * حالت خواندن ** 1.8 وات * حالت نوشتن ** 0.48 وات * حالت Idle 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا حافظه SSD اکسترنال Verbatim TurboMetal 2 ترابایت USB4

ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

حافظه SSD اکسترنال Verbatim TurboMetal 2 ترابایت USB4

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe USB۴ Gen ۲x۲
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه ۳۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۳۶۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۵ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۵۵ * ۱۰۵.۸ * ۱۸.۱ میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم ۱۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مواد بدنه - Metal
رنگ‌بندی - نقره‌ای

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 ۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم ۲۸.۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS