مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک SSD Plus SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سن دیسک SSD Plus SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ VS سن‌دیسک

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سن دیسک SSD Plus SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	SanDisk MLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	SMI SM2246XT
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 × 69.95 × 100.5 ميلي‌متر
وزن محصول	8 گرم	59 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Blue WDS100T3B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS100T3B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS بلو

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS100T3B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	82,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	1.8 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن 60 میلی‌وات به صورت میانگین 36 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	34.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco
رنگ‌بندی	-	آبی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 35 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 8 و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, KC, EAC, RoHS	-
رنگ‌بندی	مشکی، سفید	-
اندازه و ابعاد	9.5 * 54.8 * 84.7 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	35 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C تبدیل USB Type-A به USB Type-C دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک SSD Plus SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سن دیسک SSD Plus SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ VS سن‌دیسک

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سن دیسک SSD Plus SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	SanDisk MLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	SMI SM2256S
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 × 69.95 × 100.5 ميلي‌متر
وزن محصول	8 گرم	59 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe Gen 4.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	590,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	610,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 به بالا ** لینوکس 2.6.33 به بالا
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ اسپک P3-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کینگ اسپک P3-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگ اسپک VS سامسونگ

ویژگی	کینگ اسپک P3-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	MK8115/INIC6081	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	570 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	91,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	24,500IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 174 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.4 وات در حالت فعال	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد	-
اندازه و ابعاد	7 * 70 * 100.4 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه دی جی ام SS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه دی جی ام SS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

دی جی ام VS سامسونگ

ویژگی	دی جی ام SS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	440 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	140 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر لرزش و ضربه	-
اندازه و ابعاد	7 * 70 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	82 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه لکسار SL100 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه لکسار SL100 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لکسار VS سامسونگ

ویژگی	لکسار SL100 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر حداکثر 3.08G لرزش	-
اندازه و ابعاد	10.8 * 55 * 73.4 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	70.5 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ای دیتا SU750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه ای دیتا SU750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا SU750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	Realtek RTS5733DMQ	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	65,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	47.5 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0B SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0B SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS بلو

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0B SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	TLC
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	525 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	100,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	80,000ّIOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	70 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.85 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 45 تا 52 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 6 تا 9.7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	1.5 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار WD SSD Dashboard
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ادلینک S68 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه ادلینک S68 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ادلینک VS سامسونگ

ویژگی	ادلینک S68 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG OPAL3, TCG Pyrite	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و 8 (نیاز به ایور) و ویندوز 10 * لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.2 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مشاهده جزئیات مقایسه