صفحه 2 از مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	۲۸.۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Store 'n' Go USB 3.2 Gen 1 512GB

Samsung VS ورباتیم

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Store 'n' Go USB 3.2 Gen 1 512GB
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۸۱ * ۱۱۹ * ۷ میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	۹۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مواد بدنه	-	Plastic
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 500 گیگابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عاملبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 500 گیگابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عامل	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
اندازه و ابعاد	M.2 (۴۵ * ۱۲ * ۱۱۱ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۸۶ گرم	8 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Zinc	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت | USB 3.2 Gen 2 | مشکی/خاکستری

Samsung VS ورباتیم

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت \| USB 3.2 Gen 2 \| مشکی/خاکستری
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	No
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Grey
مواد بدنه	-	Polycarbonate (PC)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اکسترنال ورباتیم Pocket USB 3.2 Gen 2 1 ترابایت

Samsung VS ورباتیم

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس اس دی اکسترنال ورباتیم Pocket USB 3.2 Gen 2 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	No
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Blue, White
مواد بدنه	-	Polycarbonate (PC)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 2 ترابایت مشکیبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 2 ترابایت مشکی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
اندازه و ابعاد	2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۱۸۰ گرم	8 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۳۶۲ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۵۸ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Rubber, Silicone	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA)	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال ایسوس TUF Gaming AS1000 PLUSبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ایسوس VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال ایسوس TUF Gaming AS1000 PLUS	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
اندازه و ابعاد	M.2 (۵۵.۶ * ۱۱۶.۲ * ۱۵.۳ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۱۵۵ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	USB ۳.۲ Gen ۲x۲	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	500 MB
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مواد بدنه	Aluminium, Silicone	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	-	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 4 ترابایت آبیبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 4 ترابایت آبی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
اندازه و ابعاد	2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	آبی	-
وزن محصول	۱۸۰ گرم	8 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۳۶۲ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۵۸ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Rubber, Silicone	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA)	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل کینگستون XS1000 1TB USB 3.2 Gen 2با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل کینگستون XS1000 1TB USB 3.2 Gen 2	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۱۰۵۰ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Metal, Plastic	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۴۴.۸ گرم	8 گرم
اندازه و ابعاد	۳۲.۶ * ۶۹.۵ * ۱۳.۵ میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 1 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتنبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 1 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتن	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۶۷۵ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۷۵ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۵ تا ۳۵ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Aluminium, Rubber	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۸۵ گرم	8 گرم
اندازه و ابعاد	۴ * ۱۰.۵ * ۱.۵ میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Trade Agreements Act (TAA)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اکسترنال ای دیتا SC730با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای‌دیتا VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اکسترنال ای دیتا SC730	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۵ تا ۳۵ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Plastic	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۷.۸ گرم	8 گرم
اندازه و ابعاد	۳۶.۸ * ۹.۷ * ۲۳.۸ میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اکسترنال گودرام SSDR-GMRE-01T-K0با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

گودرم VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اکسترنال گودرام SSDR-GMRE-01T-K0	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
اندازه و ابعاد	M.2 (۳۲ * ۹ * ۷۵ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۱۸ گرم	8 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۲۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Aluminium	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه