صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ مکس KM31 SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس KM31 SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد 7 × 69.85 × 100.5 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 100 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط 1,200,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 64 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 415 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 95 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ -
مجوزها و تاییدیه‌ها UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 × 22 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 7.5 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 100 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.8 میلی‌وات در حالت استندبای - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 540,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,750,000 ساعت (MTTF) - 1200 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM SK Hynix DDR4 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) WD NVMe Architecture Samsung MKX

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت با گودگا 2280 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

گودگا 2280 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM CE ,FCC ,RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 82 گرم
میزان توان مصرفی - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 58,800IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 62,500IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) - 1,000,000 ساعت (MTTF) - 45 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 128 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -

مقایسه پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد 6.3 × 69.85 × 99 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 480 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول 45 گرم - 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 510,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MKX Silicon Motion SM2267EN

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول 45 گرم - 7 گرم (بدون هیت‌سینک) - 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 750,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا SC680 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا SC680 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 480 گیگابایت

محتویات جعبه - - کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C - کابل اتصال USB Type-C به USB Type-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مقاوم در برابر ضربه - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM FCC, CE, KC, EAC, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 10 × 61 × 86.7 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی
وزن محصول 45 گرم 35 گرم
میزان توان مصرفی - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 480 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت با ازگارد AN3+ NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ازگارد AN3+ NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ - مقاوم در برابر حداکثر 15G لرزش
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر -
وزن محصول 45 گرم -
میزان توان مصرفی - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت با فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم حدود 8 گرم
میزان توان مصرفی - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 220,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 2130 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1720 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا LEGEND 850 Lite NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا LEGEND 850 Lite NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - سازگار با کنسول بازی PS5 - نرم‌افزار SSD ToolBox
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر - 3.63 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت سینک) - 2.65 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول 45 گرم - 8.5 گرم (با هیت سینک) - 5.5 گرم (بدون هیت سینک)
میزان توان مصرفی - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 450 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 4200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت با وسترن دیجیتال Blue WDS500G1B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue WDS500G1B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard - نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM UL, TUV, Kcc, BSMI, FCC, VCCI
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 1.4 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 7 گرم
میزان توان مصرفی - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp - 4 وات در حالت فعال - 7.7 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 100,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 83,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) - 1,750,000 ساعت (MTTF) - 200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 525 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت با وسترن دیجیتال Blue WDS200T2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue WDS200T2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard - نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 7 × 69.85 × 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 57.9 گرم
میزان توان مصرفی - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp - 60 میلی‌وات به صورت میانگین - 3 وات در حالت خواندن - 3.8 وات در حالت نوشتن - 56 میلی‌وات در حالت آماده باش - 5 تا 12 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 84,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) 1,750,000 ساعت (MTTF)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -