صفحه 14 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر - ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	- 3 وات در حالت خواندن - 3 وات در حالت نوشتن - 50 میلی‌وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	2GB LPDDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ادلینک S20 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ادلینک VS سامسونگ

ویژگی	ادلینک S20 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک OS X - لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
اندازه و ابعاد	-	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	0.9 تا 3.6 ولت	5 ولت
کنترلر (Controller)	Phison S11	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Ultimate SU800 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا Ultimate SU800 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - نرم‌افزار SSD ToolBox - نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
اندازه و ابعاد	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTTF) - 100 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	128 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	300 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	SMI	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا SE800 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا SE800 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	- دارای گواهینامه IP68 - استاندارد نظامی MIL-STD-810G - FCC, CE, KC, EAC, RoHS	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SATA
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	12.2 × 44 × 72.7 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، آبی	-
وزن محصول	40 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 35 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

خودروسازی دی اس VS سامسونگ

ویژگی	سن دیسک Extreme SDSSDE60 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل USB نوع C به USB نوع C - تبدیل USB نوع C به USB نوع A - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	دارای گواهینامه IP55	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SATA
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	8.9 × 49.5 × 96.2 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
مواد بدنه	پلاستیک	-
وزن محصول	20 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ویکومن VC600 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویکومن VS سامسونگ

ویژگی	ویکومن VC600 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	قاب مخصوص برای استفاده از حافظه به صورت اکسترنال	-
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
اندازه و ابعاد	7 × 70 × 100 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	50 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	5 وات در حالت فعال	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ویکومن VC600 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویکومن VS سامسونگ

ویژگی	ویکومن VC600 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	قاب مخصوص برای استفاده از حافظه به صورت اکسترنال	-
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
اندازه و ابعاد	7 × 70 × 100 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	50 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	5 وات در حالت فعال	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	430 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اپیسر AS350 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ایسر VS سامسونگ

ویژگی	اپیسر AS350 PANTHER SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - نرم‌افزار Apacer SSD Utility	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	KCC, CE, FCC, VCCI, RCM, BSMI	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	59 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.26 وات در حالت فعال - 0.32 وات در حالت آماده باش	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,618IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	30,176IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ MZ-DPC256T/0A2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ MZ-DPC256T/0A2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فکتور مخصوص اپل	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
اندازه و ابعاد	13 × 8 × 1 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	30 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	-	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

تروبایت VS سامسونگ

ویژگی	تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 16G لرزش در حالت فعال	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
اندازه و ابعاد	-	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، طلایی	-
مواد بدنه	فلز	-
وزن محصول	-	45 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	440 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ازگارد AS2TS3-S7 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ازگارد VS سامسونگ

ویژگی	ازگارد AS2TS3-S7 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
اندازه و ابعاد	7 × 70 × 100 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم
میزان توان مصرفی	7.5 وات	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	215 مگابایت بر ثانیه	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	210 مگابایت بر ثانیه	88,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	Maxio0902	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ازگارد AN2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ازگارد VS سامسونگ

ویژگی	ازگارد AN2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک OS - لینوکس - اندروید	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	3 × 22 × 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	SMI	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه