صفحه 5 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۶۰	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۲.۶ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D MLC	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۶۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۳۲ تا ۱۵۸ °F	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	۱۵۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D MLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	۱۵۰
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	۳D MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۱۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use) {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۴۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۷۸۰۰۰ IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۳۵۰۴	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۶۹ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
میزان توان مصرفی	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
وزن محصول	۱۶۴ گرم	-
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه	Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	-	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۳۲ تا ۱۵۸ °F
رنگ‌بندی	-	مشکی
پورت اتصال حافظه	-	Serial ATA III
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

برند نامشخص VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۵ گرم	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

سامسونگ VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D MLC	۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۶۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۵۰	۲۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۳۲ تا ۱۵۸ °F	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
وزن محصول	-	۸ گرم
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D MLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۶۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۵۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۳۲ تا ۱۵۸ °F	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
رنگ‌بندی	مشکی	مشکی
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
وزن محصول	-	۸ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D MLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۶۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۳۲ تا ۱۵۸ °F	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه