صفحه 4 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
فناوری رمزنگاری	Yes	-
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰۰ IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۴۶.۲ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۶۰۰۰ IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۳۲ تا ۱۵۸ °F	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	۲.۵"
رنگ‌بندی	مشکی	مشکی
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
وزن محصول	-	۵۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۲ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
وزن محصول	۳۴.۴ گرم	-
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه	HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	-	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۳۲ تا ۱۵۸ °F
رنگ‌بندی	-	مشکی
پورت اتصال حافظه	-	Serial ATA III
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

برند نامشخص VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۵ گرم	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۴۸۰	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۷ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, RoHS	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	۱ ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۶.۵ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
فناوری رمزنگاری	Yes	-
میزان ظرفیت حافظه	۷.۶۸ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۵۰۰۰۰۰ IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۵۱.۳ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	۱ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۳۲ تا ۱۵۸ °F
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	۳D MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۴۷۵۰۰ IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS توین موس

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D MLC	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰ IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۶۰۰۰ IOPS	270,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۳۲ تا ۱۵۸ °F	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰
میزان توان مصرفی	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه