مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۱۵۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9.7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E26	-
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۱۵۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E21T	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	950,000IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	۱۵۰
میزان توان مصرفی	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۴۰	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۲.۸ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

فیلیپس VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۶۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۳۸.۲ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۳۲ تا ۱۵۸ °F
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

ای‌دیتا VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۰۰۰۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۶۵۰۰۰۰ IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۸۰	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۲ گرم	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D MLC	QLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۶۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۳۲ تا ۱۵۸ °F	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D MLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۶۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۵۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۳۲ تا ۱۵۸ °F	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
فناوری رمزنگاری	-	Yes
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	۱ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۳۲ تا ۱۵۸ °F
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	۳D MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۶۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	۳D MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	۳۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۳۲ تا ۱۵۸ °F
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
رنگ‌بندی	-	مشکی
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه