صفحه 6 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

در این صفحه 5 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D MLC V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۶۰۰۰ IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۳۲ تا ۱۵۸ °F ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
رنگ‌بندی مشکی -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۴۶ گرم

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D MLC ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰ IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۶۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰ ۱۴۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۳۲ تا ۱۵۸ °F ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
رنگ‌بندی مشکی -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
وزن محصول - ۵۰ گرم
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - No
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D MLC ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰ IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۶۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰ ۱۴۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۳۲ تا ۱۵۸ °F ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
رنگ‌بندی مشکی -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
وزن محصول - ۵۰ گرم
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - No
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰ IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۶۰۰۰ IOPS 1,550,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰ 1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۳۲ تا ۱۵۸ °F 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
حافظه DRAM - true
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PROبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ 850 PRO

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D MLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۶۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰ ۶۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۳۲ تا ۱۵۸ °F -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
رنگ‌بندی مشکی -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
فناوری رمزنگاری - Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA