صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 6 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه پاتریوت Viper VPR100 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت Viper VPR100 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - هیت‌سینک آلومینیومی - قابلیت نمایش دمای حافظه - امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB و سازگار با نرم‌افزارهای ازراک، ایسوس، گیگابایت و ام‌اس‌آی - نرم‌افزار RGB SYNC APP - نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 × 25 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - - 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط 1600 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت DDR4 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung Elpis

مقایسه پاتریوت Viper VPR100 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت Viper VPR100 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - هیت‌سینک آلومینیومی - قابلیت نمایش دمای حافظه - امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB و سازگار با نرم‌افزارهای ازراک، ایسوس، گیگابایت و ام‌اس‌آی - نرم‌افزار RGB SYNC APP - نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 × 25 × 80 میلی‌متر - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول 25 گرم - 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS 510,000IOPS
طول عمر متوسط 1600 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L TLC NAND Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت DDR4 DDR4
کنترلر (Controller) Phison E12 Silicon Motion SM2267EN

مقایسه پاتریوت Viper VPR100 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پاتریوت Viper VPR100 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - هیت‌سینک آلومینیومی - قابلیت نمایش دمای حافظه - امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB و سازگار با نرم‌افزارهای ازراک، ایسوس، گیگابایت و ام‌اس‌آی - نرم‌افزار RGB SYNC APP - نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 × 25 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1600 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت DDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung In-House Controller

مقایسه پاتریوت Viper VPR100 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پاتریوت Viper VPR100 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - هیت‌سینک آلومینیومی - قابلیت نمایش دمای حافظه - امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB و سازگار با نرم‌افزارهای ازراک، ایسوس، گیگابایت و ام‌اس‌آی - نرم‌افزار RGB SYNC APP - نرم‌افزار SSD Tool Box - مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 × 25 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط 1600 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت DDR4 LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung Phoenix Controller

مقایسه پاتریوت Viper VPR100 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت Viper VPR100 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - هیت‌سینک آلومینیومی - قابلیت نمایش دمای حافظه - امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB و سازگار با نرم‌افزارهای ازراک، ایسوس، گیگابایت و ام‌اس‌آی - نرم‌افزار RGB SYNC APP - نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 7 × 25 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط 1600 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت DDR4 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung MKX

مقایسه پاتریوت Viper VPR100 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پاتریوت Viper VPR100 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - هیت‌سینک آلومینیومی - قابلیت نمایش دمای حافظه - امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB و سازگار با نرم‌افزارهای ازراک، ایسوس، گیگابایت و ام‌اس‌آی - نرم‌افزار RGB SYNC APP - نرم‌افزار SSD Tool Box - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 × 25 × 80 میلی‌متر 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 9 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط 1600 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L TLC NAND 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت DDR4 -
کنترلر (Controller) Phison E12 DM620