مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال Integral 250GB 2.5 اینچ SATA 3 (سری V2)با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی	SSD اینترنال Integral 250GB 2.5 اینچ SATA 3 (سری V2)	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۸۰	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۲ * ۷ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	۴۵ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال Integral 500GB M.2 NVMe PCIe Gen3 x4 (سرعت خواندن 3450 و نوشتن 2400 مگابایت بر ثانیه)با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اینتگرال VS msi

ویژگی	اس اس دی اینترنال Integral 500GB M.2 NVMe PCIe Gen3 x4 (سرعت خواندن 3450 و نوشتن 2400 مگابایت بر ثانیه)	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۳۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۸۸۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۶۰۰۰ IOPS	1,500,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۵۶	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۲۵ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	۱۰ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۱	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال Integral 4TB ADVANTAGE PRO-2 M.2 PCIe Gen4 NVMeبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اینتگرال VS msi

ویژگی	SSD اینترنال Integral 4TB ADVANTAGE PRO-2 M.2 PCIe Gen4 NVMe	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۲۴۰۰	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۴۷ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۲ * ۸۰ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	۶ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 480 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کلو VS msi

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 480 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	PHISON E26
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	200 (TBW) ترابایت	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.2 * 24 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	45 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

هایک ویژن VS msi

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	1,500,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	8 گرم	-
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال لنوو مدل 4XB7A10249با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS msi

ویژگی	SSD اینترنال لنوو مدل 4XB7A10249	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES	-
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۱۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	۶۳ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

msi VS Sandisk

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع کاربری حافظه	اینترنال	بازی؛ لپ‌تاپ
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	PCIe Gen4 x4؛ NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	TLC 3D NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E26	-
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	7,250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	نرم‌افزار WD_BLACK Dashboard (فقط ویندوز)؛ تا 100% بهره‌وری انرژی بیشتر نسبت به نسل قبل؛ تا 35% عملکرد سریع‌تر نسبت به نسل قبل
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	M.2 2280
نشانگر وضعیت LED	false	-
شیوه اتصال	-	M.2 NVMe PCIe Gen4
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	Windows (برای عملکرد داشبورد)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا پاتریوت P220 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

msi VS پاتریوت

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	پاتریوت P220 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E26	-
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	480 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	40,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	50,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	60 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	100 * 133 * 178 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE،FCC،RoHS
وزن محصول	-	50 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A14050با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS msi

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A14050	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۴۸۰ گیگابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۸۵ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۱۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۱۰۰۰ IOPS	1,500,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	3.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	۷۰ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه حافظه SSD اینترنال لنوو 4XB7A17071با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS msi

ویژگی	حافظه SSD اینترنال لنوو 4XB7A17071	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۱۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۷۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۴۰۰۰۰ IOPS	1,500,000IOPS
طول عمر متوسط	۶۵۷	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	M.۲	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	۱۰ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه حافظه SSD اینترنال MSI Spatium M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 500GBبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ام‌اس‌آی VS msi

ویژگی	حافظه SSD اینترنال MSI Spatium M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 500GB	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۳۶۰۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۳۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۵۵۰ IOPS	1,500,000IOPS
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۲.۱۵ * ۸۰ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/240Gبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

هایپرایکس VS msi

ویژگی	اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/240G	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۵ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۱۰ مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۴۰۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۵۷۰۰۰ IOPS	1,500,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۹.۵ * ۱۰۰ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	۹۷ گرم	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مواد بدنه	Aluminium	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه