1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال کیونپ SSD-M2080-256GB-A01
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال کیونپ SSD-M2080-256GB-A01

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال کیونپ SSD-M2080-256GB-A01

msi VS کیونپ
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال کیونپ SSD-M2080-256GB-A01

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E26 -
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک M.۲
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - آبی
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال MSI Spatium M470 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 1TB با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال MSI Spatium M470 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 1TB با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال MSI Spatium M470 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 1TBبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ام‌اس‌آی VS msi
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال MSI Spatium M470 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 1TB

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۵۰۰۰۰ IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۹۵۰۰۰۰ IOPS 1,500,000IOPS
طول عمر متوسط ۶۴۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱۵ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E26
نرخ خواندن ترتیبی - 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 10000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120Gبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

هایپرایکس VS msi
ویژگی

اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱۲۰ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۵ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۱۰ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰ IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۰۰۰۰ IOPS 1,500,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۹.۵ * ۱۰۰ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول ۹۷ گرم -
رنگ‌بندی مشکی -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مواد بدنه Aluminium -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E26
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3B/120G با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3B/120G با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3B/120Gبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

هایپرایکس VS msi
ویژگی

اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3B/120G

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱۲۰ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۵ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۱۰ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰ IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۰۰۰۰ IOPS 1,500,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۹.۵ * ۱۰۰ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول ۹۷ گرم -
رنگ‌بندی مشکی -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مواد بدنه Aluminium -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E26
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال گودرام مدل IRDM PRO با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال گودرام مدل IRDM PRO با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال گودرام مدل IRDM PROبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

گودرم VS msi
ویژگی

اس اس دی اینترنال گودرام مدل IRDM PRO

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۳۵۰۰۰۰ IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۰۰۰۰۰ IOPS 1,500,000IOPS
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد M.۲ 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
فناوری رمزنگاری No -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E26
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

گودرم VS msi
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS 1,500,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E26
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه لیتو Stage Box با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه لیتو Stage Box با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه لیتو Stage Boxبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لیتو VS msi
ویژگی

لیتو Stage Box

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

گروه‌بندی کلی قابل حمل -
شیوه اتصال بی‌سیم و باسیم -
توان واقعی (RMS) خروجی 10 W -
جزئیات توان خروجی 2 عدد 5 وات -
تعداد ووفرهای صوتی (Bass) 2 عدد -
ابعاد درایور ووفر 165.1 میلی‌متر -
محدوده فرکانس پاسخ‌دهی 120-20000 هرتز -
میزان امپدانس 4 اهم -
پشتیبانی جک ورودی صدا true -
نوع جک ورودی صدا 3.5 میلی‌متری -
درگاه ورودی RCA false -
ورودی اپتیکال (Optical) false -
پورت کواکسیال false -
پشتیبانی از کارت حافظه TF true -
پورت USB true -
پورت خروجی هدفون false -
پورت ورودی میکروفون true -
نوع پورت ورودی میکروفون 6.35 میلی‌متری -
میکروفون داخلی false -
پشتیبانی از تماس صوتی false -
پشتیبانی از Hi-Res false -
مقاومت IPX خیر -
قابلیت نویز کنسلینگ میکروفون false -
پشتیبانی از بلوتوث (Bluetooth) true -
نسخه بلوتوث موجود 5.0 -
فاصله عملکرد 10 متر -
پشتیبانی از NFC false -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از TWS ** امکان پخش رادیو ** کارائوکه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
میزان ظرفیت باتری 5500 میلی‌آمپر ساعت -
روش شارژ از طریق درگاه اتصال به برق شهری -
مواد بدنه پلاستیک -
نورپردازی true -
جزئیات نورپردازی رقص نور -
سایر ویژگی‌های طراحی دارای نمایشگر LED ** امکان اتصال بند دوشی ** دارای استند برای نگهداری گوشی موبایل و تبلت -
نشانگر وضعیت LED true false
اندازه و ابعاد 210 * 260 * 490 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 4200 گرم -
نوع کاربری حافظه - اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E26
نرخ خواندن ترتیبی - 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,500,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با SSD اینترنال 135397
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با SSD اینترنال 135397

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال 135397

Crucial VS msi
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال 135397

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND 3D NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد M.2 2280 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 2 ترابایت
کنترلر (Controller) - PHISON E26
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,500,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

msi VS سی‌گیت
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller) PHISON E26 -
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۴۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با SSD اینترنال 135398
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با SSD اینترنال 135398

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال 135398

msi VS Samsung
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال 135398

نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND آخرین حافظه NAND
کنترلر (Controller) PHISON E26 کنترلر با روکش نیکل
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده کارآمد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک M.2 2280
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
فناوری رمزنگاری -
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه حافظه SSD اینترنال فوجیتسو مدل PY-SS96NNJ با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه حافظه SSD اینترنال فوجیتسو مدل PY-SS96NNJ با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه حافظه SSD اینترنال فوجیتسو مدل PY-SS96NNJبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فوجیتسو VS msi
ویژگی

حافظه SSD اینترنال فوجیتسو مدل PY-SS96NNJ

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول ۱۶۵ گرم -
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E26
نرخ خواندن ترتیبی - 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,500,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه CoreParts NE-512T internal solid state drive با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه CoreParts NE-512T internal solid state drive با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه CoreParts NE-512T internal solid state driveبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کورپارتس VS msi
ویژگی

CoreParts NE-512T internal solid state drive

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
اندازه و ابعاد M.2 (۱۵۲ * ۱۱۵ * ۲۵ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول ۳۰ گرم -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E26
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,500,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه