مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگستون UV500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگستون UV500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 64L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Marvell 88SS1074 PHISON E26
نرخ خواندن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 79,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 25,000IOPS 1,500,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.5 وات به صورت میانگین ** 1.17 * حالت خواندن ** 2.32 * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Opal 2.0 -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.1 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 41 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش

مقایسه اچ پی S700 SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اچ پی S700 SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 70,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS 1,500,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTTF) ** 295 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.63 وات * حالت فعال ** 0.33 وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6ms ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** نرم‌افزار HP Storage Data Migration Utilities الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM -
اندازه و ابعاد 3.35 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 5 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E26
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72,000IOPS 1,500,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.15 وات * حالت خواندن ** 1.2 وات * حالت نوشتن ** 0.37 وات * حالت Idle حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 45 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E26
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش

مقایسه ای دیتا Ultimate SU800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ای دیتا Ultimate SU800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI PHISON E26
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 1,500,000IOPS
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTTF) ** 1,600 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 47.5 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده

مقایسه کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگستون KC2500 M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI 2262EN PHISON E26
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 1,500,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.3 میلی‌وات * حالت Idle ** 0.2 میلی‌وات * حالت میانگین ** 2.1 وات * حالت خواندن ** 7 وات * حالت نوشتن حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری TCG Opal 2.0 ** AES 256 بیت -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 11 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش

مقایسه ای دیتا Ultimate SU650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ای دیتا Ultimate SU650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 40,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 75,000IOPS 1,500,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTTF) ** 280 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 47.5 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E26
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E26 Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده 2.5 وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه بوفالو SSD-PUT USB 3.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

بوفالو SSD-PUT USB 3.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 600 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.14 و بالاتر ** پلی‌استیشن 4، 4 پرو و 5 ** ایکس‌باکس وان ** ایکس‌باکس سری X/S -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر شوک و لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 10 * 25 * 70 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 30 گرم -
نشانگر وضعیت LED true false
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E26
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,500,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده

مقایسه گودگا SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گودگا SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 570 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 91,600IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,100IOPS 1,500,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** قابل استفاده برای لپ‌تاپ و PC ** زمان دسترسی 0.07 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC -
مواد بدنه پلاستیک -
اندازه و ابعاد 7 * 70 * 100 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E26
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده

مقایسه ای دیتا XPG SX8100 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX8100 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Realtek RTS5762 PHISON E26
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 1,500,000IOPS
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, RCM, KC, Morocco -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 490 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 1,500,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6ms الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM -
مواد بدنه آلومینیوم -
اندازه و ابعاد 6.7 * 70 * 100 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 50 گرم -
کنترلر (Controller) - PHISON E26
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3‎D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 PHISON E26
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 1,500,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512 MB DDR4 DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.900 وات * حالت خواندن ** 4500 وات * حالت نوشتن حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
نشانگر وضعیت LED false false