نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 500 MB | 2 ترابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung Phoenix | PHISON E26 |
نرخ خواندن ترتیبی | 3400 مگابایت بر ثانیه | 10000 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 2300 مگابایت بر ثانیه | 10000 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 370,000IOPS | 1,400,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 450,000IOPS | 1,500,000IOPS |
حافظه DRAM | دارد | دارد |
نوع حافظه DRAM | 512 MB LPDDR4 | DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
طول عمر متوسط | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) | 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) |
میزان توان مصرفی | 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلیوات * حالت DevSlp | حداکثر 11 وات هنگام استفاده |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
قابلیتهای جانبی | - | الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از دادهها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) |
اندازه و ابعاد | 2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر | 3.5 * 22 * 80 میلیمتر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلیمتر با هیت سینک |
---|---|---|
وزن محصول | 8 گرم | - |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده