صفحه 17 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS لکسار

ویژگی	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	440,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 48-Layer MLC V-NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS لکسار

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS لکسار

ویژگی	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	50 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	100.000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 2-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS لکسار

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS لکسار

ویژگی	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	51 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	100.000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 2-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS لکسار

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	94,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	-
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS لکسار

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512MB LPDDR4	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS لکسار

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	320,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS لکسار

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	-
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS لکسار

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	-
کنترلر (Controller)	-	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ T5 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ T5 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS لکسار

ویژگی	سامسونگ T5 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	کابل USB نوع C به USB نوع A کابل USB نوع C به USB نوع C دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS X نسخه 10.9 و بالاتر ان*وید 4.4 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از UASP ** نرم‌افزار Samsung Portable SSD	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, RoHS2	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10.5 * 57.3 * 74 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی	آبی، قرمز، طلایی، مشکی	-
مواد بدنه	پلاستیک	-
وزن محصول	51 گرم	9 گرم
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	256,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 64L TLC V-NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS لکسار

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	9 گرم
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه