نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | SATA |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c | SATA 6Gb/s |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2.5 اینچ |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 250 گیگابایت | 480 گیگابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND | 3D NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung Elpis | - |
نرخ خواندن ترتیبی | 6400 مگابایت بر ثانیه | 500 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 2700 مگابایت بر ثانیه | 480 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 500,000IOPS | - |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 600,000IOPS | - |
حافظه DRAM | دارد | ندارد |
نوع حافظه DRAM | 512 مگابایت LPDDR4 | - |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW) | 1,500,000 ساعت (MTBF) |
میزان توان مصرفی | - 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلیوات در حالت آماده باش | - 2.5 وات در حالت فعال - 0.5 وات در حالت Idle |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | دارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
قابلیتهای جانبی | - | - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه |
اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر | 7 × 69.9 × 100.5 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 9 گرم | 71 گرم |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟