صفحه 3 از مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	۳D eTLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
طول عمر متوسط	-	۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۲۰۵ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

Intel VS لنوو

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

Intel VS سامسونگ

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	۴۴۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	M.۲
وزن محصول	-	۹ گرم
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

Intel VS لنوو

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS Intel

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	QLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۷.۵ گرم	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM۲۲۶۵G
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	310,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	340,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گیگابایت VS Intel

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	QLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM۲۲۶۵G
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	310,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	340,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS Intel

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	QLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۶ گرم	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM۲۲۶۵G
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	310,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	340,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

Intel VS سامسونگ

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

Intel VS سامسونگ

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
طول عمر متوسط	-	۶۰۰
اندازه و ابعاد	-	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

Intel VS سامسونگ

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۸ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

Intel VS لنوو

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۶.۵ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

Intel VS سامسونگ

ویژگی	اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC 3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM۲۲۶۵G	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	310,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	340,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه