1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

Intel VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول - ۸ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS Intel
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND QLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) -
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM۲۲۶۵G
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 310,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

Intel VS سی‌گیت
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول - ۴۰ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

Intel VS لنوو
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS ۴۷۵۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
فناوری رمزنگاری - No
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

Intel VS ایکس‌پی‌جی
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۲۵۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول - ۸ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

Intel VS لنوو
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)
وزن محصول - ۷.۲ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

Intel VS لنوو
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS ۳۱۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول - ۷۰ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

Intel VS کینگستون
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۴۸۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول - ۷ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

Intel VS لنوو
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۲.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS ۷۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS ۲۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
اندازه و ابعاد - M.۲
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

Intel VS سی‌گیت
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۱۴۰۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول - ۵۰ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

Intel VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - ۲.۵"
وزن محصول - ۵۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

Intel VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول - ۸ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه