1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

اینتل VS سیگیت
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
اندازه و ابعاد - 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول - 47 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ای دیتا VS اینتل
ویژگی

ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND QLC 3D NAND
کنترلر (Controller) SandForce 2281 Silicon Motion SM۲۲۶۵G
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 340,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر -
وزن محصول 68 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 310,000IOPS
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کروشیال VS اینتل
ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND QLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT Silicon Motion SM۲۲۶۵G
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 120 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES -
اندازه و ابعاد 7 * 95 * 125 میلی‌متر -
وزن محصول 70 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 310,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 86 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

اینتل VS لکسار
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 256 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد - 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول - 34 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اینتل VS پی ان وای
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 3900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC
اندازه و ابعاد - 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 6.6 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

اینتل VS کینگستون
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G 2Ch
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 350 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال
اندازه و ابعاد - 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 41 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 90.000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول - 62 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false -
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 46 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8.5 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND Samsung V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G Samsung Metis Controller
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS 93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 30,000IOPS
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 2.1 وات (خواندن) ** 3.2 (نوشتن) ** 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit Encryption (Class 0)
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 70 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه