1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

اینتل VS کینگستون
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G 2Ch
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 350 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال
اندازه و ابعاد - 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 41 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 90.000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول - 62 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false -
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 46 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8.5 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND Samsung V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G Samsung Metis Controller
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS 93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 30,000IOPS
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 2.1 وات (خواندن) ** 3.2 (نوشتن) ** 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit Encryption (Class 0)
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 70 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
اندازه و ابعاد - 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 62 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اینتل VS پی ان وای
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 7500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 6850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS
اندازه و ابعاد - 20.5 * 22.8 * 80.4 میلی‌متر (با پوشش حرارتی) ** 4 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون پوشش حرارتی)
وزن محصول - 45 گرم (با پوشش حرارتی) ** 6.6 گرم (بدون پوشش حرارتی)
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS 380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

اینتل VS ام جی
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد - 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

اینتل VS ویکومن
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
نشانگر وضعیت LED false false
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد - 7 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 55 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اینتل VS پی ان وای
ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 4300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC
اندازه و ابعاد - 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 6.6 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه