مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وزن محصول ۳۴.۴ گرم -
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر -
محتویات جعبه HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) - QLC 3D NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM۲۲۶۵G
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 310,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع کاربری حافظه اینترنال بازی؛ لپ‌تاپ
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe Gen4 x4؛ NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 7,250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows (برای عملکرد داشبورد)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار WD_BLACK Dashboard (فقط ویندوز)؛ تا 100% بهره‌وری انرژی بیشتر نسبت به نسل قبل؛ تا 35% عملکرد سریع‌تر نسبت به نسل قبل
اندازه و ابعاد - M.2 2280

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND QLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول - ۴۶ گرم

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول - ۴۶ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC QLC 3D NAND
اندازه و ابعاد PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر) -
وزن محصول ۹ گرم -
محتویات جعبه HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM۲۲۶۵G
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 310,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS ۹۲۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS ۹۷۴۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر)
وزن محصول - ۷ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۶۴۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول - ۲.۸ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وزن محصول ۱۶۴ گرم -
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر -
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) - QLC 3D NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM۲۲۶۵G
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 310,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND QLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM۲۲۶۵G
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 310,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول - ۷.۷ گرم

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۱۶۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول - ۲.۶ گرم

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS ۳۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
وزن محصول - ۱۴۶.۲ گرم