مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال 135396

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال 135396

نوع کاربری حافظه اینترنال SSD داخلی
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND Samsung V-NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G Samsung Elpis Controller
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
حافظه DRAM false بله
قابلیت پشتیبانی از NCQ false بله
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
محدوده دمای عملیاتی - 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
قابلیت پشتیبانی از TRIM - بله
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - بله
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
فناوری رمزنگاری - رمزگذاری AES 256 بیتی
رنگ‌بندی - سیاه
اندازه و ابعاد - M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
وزن محصول - تقریباً 8.0 گرم
محتویات جعبه - SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی
میزان توان مصرفی - عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال 135397

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال 135397

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 NVMe PCIe Gen4 x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 512 MB -
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND Micron G8 NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه تا 7,100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه تا 6,000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - PCIe Gen4 NVMe
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی
اندازه و ابعاد - M.2 2280
محتویات جعبه - مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال 135398

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال 135398

نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND آخرین حافظه NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G کنترلر با روکش نیکل
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
فناوری رمزنگاری -
اندازه و ابعاد - M.2 2280
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
میزان توان مصرفی - کارآمد

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال 135399

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال 135399

نوع کاربری حافظه اینترنال درایو حالت جامد داخلی
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 NVMe Gen3x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G کنترلر اصلی با کیفیت بالا
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه تا 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe Gen3x4
قابلیت پشتیبانی از TRIM - بله
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - بله
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
قابلیت‌های جانبی - تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری
اندازه و ابعاد - M.2 2280
محتویات جعبه - SSD، مستندات

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وزن محصول ۳۴.۴ گرم -
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر -
محتویات جعبه HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) - QLC 3D NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM۲۲۶۵G
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 310,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع کاربری حافظه اینترنال بازی؛ لپ‌تاپ
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe Gen4 x4؛ NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 7,250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows (برای عملکرد داشبورد)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار WD_BLACK Dashboard (فقط ویندوز)؛ تا 100% بهره‌وری انرژی بیشتر نسبت به نسل قبل؛ تا 35% عملکرد سریع‌تر نسبت به نسل قبل
اندازه و ابعاد - M.2 2280

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND QLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول - ۴۶ گرم

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول - ۴۶ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC QLC 3D NAND
اندازه و ابعاد PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر) -
وزن محصول ۹ گرم -
محتویات جعبه HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM۲۲۶۵G
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 310,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS ۹۲۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS ۹۷۴۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر)
وزن محصول - ۷ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI

مقایسه اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC 3D NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM۲۲۶۵G -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 310,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۶۴۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد - 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول - ۲.۸ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

اینتل 670P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وزن محصول ۱۶۴ گرم -
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر -
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) - QLC 3D NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM۲۲۶۵G
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 310,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false