1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS اینتل
ویژگی

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 9 گرم -
میزان توان مصرفی 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش حداکثر 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND 3D NAND QLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 1570 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Elpis -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS اینتل
ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
میزان توان مصرفی 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle حداکثر 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND QLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 1570 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا VS اینتل
ویژگی

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 13.4 گرم -
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش حداکثر 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 210,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND QLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 1570 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS اینتل
ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
میزان توان مصرفی 5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش حداکثر 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND QLC
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 1570 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ایکس پی جی VS اینتل
ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 11 گرم -
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش حداکثر 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64-Layer 3D TLC NAND 3D NAND QLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 1570 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3L -
کنترلر (Controller) SMI SM2262EN -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار VS اینتل
ویژگی

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 9 گرم -
میزان توان مصرفی - حداکثر 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 256,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND QLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 1570 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) DM620 -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS اینتل
ویژگی

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 9 گرم -
میزان توان مصرفی 5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش حداکثر 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND 3D NAND QLC
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 6400 مگابایت بر ثانیه 1570 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Elpis -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

اینتل VS خودروسازی دی اس
ویژگی

اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد - 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول - 52 گرم
میزان توان مصرفی حداکثر 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND QLC -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1570 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد - 13 * 59 * 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول - 98 گرم
میزان توان مصرفی حداکثر 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND QLC -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1570 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

اینتل VS ای دیتا
ویژگی

اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد - 15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول - 60 گرم
میزان توان مصرفی حداکثر 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND QLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 960 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1570 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - Maxio Technology MAS0902A
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

اینتل VS ای دیتا
ویژگی

اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه - کابل USB-C به USB-C ** کابل USB-C به USB-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8 به بالا ** مک OS X 10.6 به بالا ** لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد - 12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول - 31 گرم
میزان توان مصرفی حداکثر 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی - 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND QLC -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1570 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اینتل VS ای دیتا
ویژگی

اینتل 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول - 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی حداکثر 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND QLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1570 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه